Mnożnik - co lepsze bipolar czy mosfet ?

kinimod · 13 Grudnia 2023

Który z tranzystorów będzie lepiej kompensował spadkiem napięcia na złączu CE (BJT) czy DS (MOSFET) wraz ze wzrostem temperatury ?

Inaczej pisząc który z tranzystorów będzie miał mniejszy spadek na złączu CE czy kanale DS przy tej samej temperaturze 50 C ?

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą ) Edytowane 13 Grudnia 2023 przez kinimod

**Grzegorz7** · 13 Grudnia 2023

Trzeba inaczej spytać.

Spadek napięcia na tych elektrodach wynika z rozmaitych czynników. To elementy wzmacniające a więc na elektrodach wyjściowych prądy i napięcia zależne są od sygnału sterującego. Ale przy stałym wymuszeniu jest zależność rezystancji kanału (tranzystory polowe) czy prądu w kolektorze i napięcia nasycenia (t. bipolarne) od temperatury.

Odpowiednie zależności są najczęściej podawane w kartach katalogowych.

Sprecyzuj pytanie.

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

**Lech36** · 13 Grudnia 2023

1 godzinę temu, kinimod napisał:

Który z tranzystorów będzie lepiej kompensował spadkiem napięcia na złączu CE (BJT) czy DS (MOSFET) wraz ze wzrostem temperatury ?

Mosfety mają ujemny współczynnik temperaturowy, więc naturalnie będą ograniczać prąd spoczynkowy wraz ze wzrostem temperatury. Bipolarne zachowują się odwrotnie, więc prąd spoczynkowy trzeba kontrolować dodatkowym układem, to tak w dużym uproszczeniu.

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

kinimod · 13 Grudnia 2023

2 godziny temu, Grzegorz7 napisał:

Trzeba inaczej spytać.

Spadek napięcia na tych elektrodach wynika z rozmaitych czynników. To elementy wzmacniające a więc na elektrodach wyjściowych prądy i napięcia zależne są od sygnału sterującego. Ale przy stałym wymuszeniu jest zależność rezystancji kanału (tranzystory polowe) czy prądu w kolektorze i napięcia nasycenia (t. bipolarne) od temperatury.

Odpowiednie zależności są najczęściej podawane w kartach katalogowych.

Sprecyzuj pytanie.

W układzie który widać na zdjęciu źródła prądowe M4 i M7 wraz z temperaturą zwiększają swój prąd. Wobec czego spadek napięcia na rezystorach R10 i R11 zwiększa się co skutkuje zwiększaniem się napięcia Ugs tranzystorów końcowych i prąd spoczynkowy rośnie.

Zamiast R10 i R11 planowałem zastosować mnożniki z użyciem tranzystorów bipolarnych.

Teraz pytanie: czy zastosować bipolary czy mosfety ?

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

59 minut temu, Lech36 napisał:

Mosfety mają ujemny współczynnik temperaturowy, więc naturalnie będą ograniczać prąd spoczynkowy wraz ze wzrostem temperatury. Bipolarne zachowują się odwrotnie, więc prąd spoczynkowy trzeba kontrolować dodatkowym układem, to tak w dużym uproszczeniu.

W układzie ja widać na zdjęciu źródła prądowe M4 i M7 zwiększają prąd z 28 mA za zimnym radiatorze aż do ponad 31 mA po rozgrzaniu. Dlaczego w tym przypadku współczynnik temperaturowy jest dodatni ?

Jaki mnożnik (bjt czy unipolar) zastosować w miejsce R10 i R11 aby uzyskać stabilniejszy Ugs tranzystorów końcowych ?

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

**Muzg** · 13 Grudnia 2023

Współczynnik temperaturowy złącza B-E tranzystora bipolarnego to 2,3 mV/K. Musisz policzyć co będzie bardziej Ci odpowiadać.

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

**Lech36** · 13 Grudnia 2023

8 minut temu, kinimod napisał:

aki mnożnik (bjt czy unipolar) zastosować w miejsce R10 i R11 aby uzyskać stabilniejszy Ugs tranzystorów końcowych ?

Napisałem tylko jaki współczynnik temperaturowy mają mosfety. Zrobiłem trochę wzmacniaczy na jednym i drugim typie tranzystorów i z mosfetami nie było nigdy kłopotu ze stabilizacją temperaturową, nawet jak element robiący za czujnik nie był zamontowany na radiatorze z bipolarnymi bym takiego działania nie podejmował. W/w układu nigdy nie robiłem i nie zamierzam robić, nie gustuję w takich wynalazkach.

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

**jar1** · 13 Grudnia 2023

Trochę dziwny ten układ, źródła prądowe stopni służą na ogół do ustalania warunków pracy stopnia wejściowego, również do ustawiania napięcia zerowego na wyjściu wzmacniacza. Kompensację temperaturową robi się na tranzystorach mocy, bo to one się grzeją. Tak, moim zdaniem jest pewniej.

Mosfety, jak pamiętam, to z tym współczynnikiem mają różnie, w zależności od wielkości prądu. Dodatni i ujemny.

AlephX według Pass'a też ma tranzystory kompensujące przy tranzystorach wyjściowych i działa to dobrze.

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

**Lech36** · 13 Grudnia 2023

24 minuty temu, jar1 napisał:

AlephX według Pass'a też ma tranzystory kompensujące przy tranzystorach wyjściowych i działa to dobrze.

A to nie jest przypadkiem klasa A modna u Pass'a? Wtedy kompensacja samego mosfeta wyjściowego może nie wystarczać, ale nigdy jeszcze nie padł mi żaden mosfet z powodu temperatury, nawet przy długim głośnym graniu a bipolarnym tranzystorom się mi to raz zdarzyło.

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

**Grzegorz7** · 13 Grudnia 2023

No to zobaczmy.

Tu charakterystyka IRF9610 prądu w drenie do napięcia drenu.

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

Widać, że współczynnik temperaturowy jest dodatni dla małych prądów drenu (poniżej 6A) a ujemny dla prądów powyżej tych 6A. Ale tak ma akurat ten typ. Bywa różnie w skali prądów drenu. Trzeba to sprawdzić w karcie katalogowej.

Poniżej zależność prądu w drenie od napięcia sterującego na bramce:

Tu widać, ze również współczynnik jest zmienny. Ujemny dla prądów drenu powyżej około 150mA i dodatni poniżej.

Oba zjawiska są przeciwstawne ale oba w wyższym zakresie prądów, więc zapewne nie dotyczą przypadku ze schematu, choć dają jakieś wskazówki. Trany w źródłach są po prostu zbyt dużej mocy a i charakterystyki mają dać pogląd konstruktorowi. Wyciągaj wnioski.

Bipolarne zbadasz podobnie, choć tu współczynniki są precyzyjne bo wynikają z fizyki półprzewodników a nie również mocno od konstrukcji jak w t. polowych.

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

kinimod · 14 Grudnia 2023

19 godzin temu, jar1 napisał:

Trochę dziwny ten układ, źródła prądowe stopni służą na ogół do ustalania warunków pracy stopnia wejściowego, również do ustawiania napięcia zerowego na wyjściu wzmacniacza. Kompensację temperaturową robi się na tranzystorach mocy, bo to one się grzeją. Tak, moim zdaniem jest pewniej.

Mosfety, jak pamiętam, to z tym współczynnikiem mają różnie, w zależności od wielkości prądu. Dodatni i ujemny.

AlephX według Pass'a też ma tranzystory kompensujące przy tranzystorach wyjściowych i działa to dobrze.

Tak właśnie chcę zrobić, kompensować temperaturowo tranzystory mocy i zastosować mnożniki (zamiast R10 i R11) na tranzystorach bipolarnych i zamontować je obok tranzystorów mocy.

Proszę pokaż kompensację Aleph X.

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

**Lech36** · 14 Grudnia 2023

18 godzin temu, Grzegorz7 napisał:

Widać, że współczynnik temperaturowy jest dodatni dla małych prądów drenu (poniżej 6A) a ujemny dla prądów powyżej tych 6A. Ale tak ma akurat ten typ. Bywa różnie w skali prądów drenu. Trzeba to sprawdzić w karcie katalogowej.

Z obserwacji fizycznej używanych przeze mnie 2SK135 i 2SJ50 wynikło że po dłuższej intensywnej pracy pod obciążeniem prąd spoczynkowy spadał a dla bipolarnych rósł. W tamtym czasie nie miałem dostępu do kart katalogowych tych tranzystorów (połowa lat 80 ubiegłego wieku), jedynie analiza gotowych wyrobów takich jak Hafler DH220 pokazywały że tranzystor odpowiadający za stabilizację temperatury nie był zamontowany na radiatorach tranzystorów mocy. Tak też zrobiłem swój pierwszy wzmacniacz z mosfetami na wyjściu. Działał długie lata, potem przepadł gdzieś u kolegów, nie wiem czy jeszcze działa.

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

**jar1** · 14 Grudnia 2023

52 minuty temu, kinimod napisał:

Tak właśnie chcę zrobić, kompensować temperaturowo tranzystory mocy i zastosować mnożniki (zamiast R10 i R11) na tranzystorach bipolarnych i zamontować je obok tranzystorów mocy.

Proszę pokaż kompensację Aleph X.

Tam to nie jest kompensacja, jako taka. Jest osobne źródło prądowe dla pary róznicowej i osobne dla stopnia mocy.

Koncepcja, jaką Nelson nazwał super supersymetry i dość specyficzna.

Schemat jest taki

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

kinimod · 14 Grudnia 2023

2 godziny temu, jar1 napisał:

Tam to nie jest kompensacja, jako taka. Jest osobne źródło prądowe dla pary róznicowej i osobne dla stopnia mocy.

Koncepcja, jaką Nelson nazwał super supersymetry i dość specyficzna.

Schemat jest taki

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

Akurat te rozwiązania znam z innych modeli. Dziękuję wszystkim za informacje.

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

**jar1** · 14 Grudnia 2023

Godzinę temu, kinimod napisał:

Akurat te rozwiązania znam z innych modeli. Dziękuję wszystkim za informacje.

Tego alefika robiłem i jest temperaturow stabilny 😉

Zresztą chyba wszystkie Alephy miały tak rozwiązany bias dla wyjściowych mosfetów.

Nie wiem, czy znasz, ale jest taka stronka. Jest tam też sporo wyjaśnień i uwag konstrukcyjnych.

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

kinimod · 14 Grudnia 2023

3 godziny temu, jar1 napisał:

Tego alefika robiłem i jest temperaturow stabilny 😉

Zresztą chyba wszystkie Alephy miały tak rozwiązany bias dla wyjściowych mosfetów.

Nie wiem, czy znasz, ale jest taka stronka. Jest tam też sporo wyjaśnień i uwag konstrukcyjnych.

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )