Subwooferowa końcówka mocy w klasie AB

[misiomor]

Nie mam doświadczenia w robieniu par różnicowych na mosfetach, bo bipolarne są generalnie lepsze do tego celu. Wręcz można zrobić na nich dyskretny preamp "balansujący" bez globalnego sprzężenia zwrotnego, o zdecydowanie akceptowalnych zniekształceniach, byle tylko rezystory degeneracyjne w emitery wrzucić.

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

[Lech36]

6 minut temu, misiomor napisał:

Nie mam doświadczenia w robieniu par różnicowych na mosfetach,

Ja mam i twierdzę że nie warto, ale na świecie są znane konstrukcje z takim rozwiązaniem, nie tylko ten w/w Acoustat. Nie ma żadnych zalet zastosowania mosfetów na wejściu różnicowym, są tylko problemy. Ewentualnie fety to tak, ale najpewniej jest na tranzystorach bipolarnych.

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

[misiomor]

Wygląda że przyszedł czas na analizę kości LT1166. Nie wiadomo ile jeszcze utrzyma się w produkcji, do tego była robiona raczej przez ludzi zorientowanych na wsadzanie op-ampów wszędzie. W karcie katalogowej nie ma nawet słowa o aplikacjach bardziej poczciwych, na tranzystorach.

Wygląda jednak, że potencjał jest - prąd spoczynkowy ustawia się wręcz bajkowo. No i lepiej nie wykorzystywać wejścia "buforowego", tylko sterować od strony bramek tranzystorów końcowych.

Analiza stałoprądowa (Fig. 2 z karty katalogowej) pokazuje (chyba że coś źle zrozumiałem), że żeby dostać 1.5V na rezystorze źródłowym połówki przewodzącej (15A na wyjściu, zakładając rezystory źródłowe 0.1ohm), górna połówka weźmie jakieś 3mA więcej niż dolna, różnica ta popłynie zresztą do wyjścia. I nawet można chyba liczyć na niezłą stabilizację tej różnicy prądów w warunkach nasycenia tranzystorów końcowych (boost voltage, bramka wyżej niż dren). Układ wręcz nie pozwoli na większą różnicę prądów między Vtop a Vbottom, gdyby któryś tranzystor VAS'a  próbował dać więcej, to dociągnie kolektorem do emitera i wejdzie w nasycenie. Oczywiście w impulsach nikt (poza Millerem) nie zabroni tranzystorowi przez chwilę puścić więcej na bramkę tranzystora końcowego.

Gorzej z połówką "wyłączaną" - jeżeli tam nie będzie prądu (tranzystor wzmacniający VAS'a zatkać przecież można) to cały LT1166 przestaje właściwie działać - odetnie mu Iref (0.2mA jeżeli dobrze policzyłem) - i moga się dziać różne dziwne rzeczy. Dlatego chyba dobrze byłoby postawić obok tranzystora wzmacniającego układu VAS (albo obu jeżeli układ jest przeciwsobny) jeszcze jakieś źródełko 5mA żeby było na takie sytuacje. Bo wpuszczanie dodatkowego prądu na opornik pary różnicowej to słabe jest - dodatkowe pojemności obniżające biegun tego stopnia, choć referencja prądowa już niby jest - napięcie kaskody. Lepiej to wrzucać w "najbrudniejsze" miejsce, tam gdzie jest biegun dominujący.

Niby Iref jest małe, ale są jeszcze stopnie wejściowe, które choć nieużywane, ale bias pobierają.

Może coś naknociłem w powyższych wywodach, jeżeli tak, to czekam na zasłużoną krytykę.

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

[Lech36]

No to do dzieła! 😉 
Tak z ciekawości, do czego ma służyć sub bas o takiej mocy?

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

[misiomor]

Ja bardzo nie lubię "dzieła" bez porządnej analizy teoretycznej i opinii znawców. Za dużo wala mi się po domu płytek od słabo przemyślanych pomysłów.

A do czego ma mi to służyć - ogólnie jako uniwersalna platforma napędowa do różnych koncepcji. Już 50-litrowy subik na RSS315HF-4 + RSS315-PR @ 23Hz wymaga napięcia równoważnego około 540W @ 3.1ohm (choć może minimum impedancji będzie trochę wyżej i prąd lekko się zmniejszy) żeby "dokręcić" woofer do pełnego Xmax w lokalnym maximum powyżej strojenia (położonym około 35Hz). Rozważam też półaktywność - gdzie solidny napęd mógłby się przydać. A jeszcze jakby ów napęd mógł być na relatywnie tanich częściach i prosty w uruchomieniu kolejnych egzemplarzy i bez zawodnych elementów typu trymery... Stąd właśnie kusi mnie LT1166.

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

[Lech36]

36 minut temu, misiomor napisał:

Za dużo wala mi się po domu płytek od słabo przemyślanych pomysłów.

Symulatory nie pomagają😉? Dawno temu pierwsze przymiarki próbne zawsze robiłem na "pająku" mocowanym do miękkiej płyty pilśniowej na pinezki a i tak potem w gotowym wyrobie na płytce okazywało się że coś nie do końca zostało przemyślane i trzeba wnieść korektę która powodowała mniej porządny wygląd końcowy montażu. Wtedy jak to robiłem nie można było przegadać na forum koncepcji, pomagali tylko koledzy z Politechniki, ale to nie byli specjaliści od audio i często się dziwili po co mi taka dokładność w niektórych miejscach, ale z zainteresowaniem śledzili moje eksperymenty jako że mosfety były wtedy jeszcze bardzo egzotyczne w w naszym kraju. 

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

[misiomor]

Symulatory to tylko narzędzia, trzeba jeszcze wiedzieć co do nich wrzucić. Te nieudane projekty to raczej dawno było, ale nauczyłem się, żeby nie robić byle czego, co tylko mi się pomyśli.

Generalnie to stałem się przeciwnikiem "fenomenologii" - że jak mi przyjdzie do głowy coś, co wydaje się genialne, należy zacząć od jak najostrzejszej krytyki, a nie od upierania się, że to jest genialne.

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

[Lech36]

23 minuty temu, misiomor napisał:

Symulatory to tylko narzędzia, trzeba jeszcze wiedzieć co do nich wrzucić.

No i znać ich słabe strony.

24 minuty temu, misiomor napisał:

Generalnie to stałem się przeciwnikiem "fenomenologii" - że jak mi przyjdzie do głowy coś, co wydaje się genialne, należy zacząć od jak najostrzejszej krytyki, a nie od upierania się, że to jest genialne.

W audio chyba obecnie trudno o genialne rozwiązania, wszystko już było, ale próbować można. Żeby tylko "skórka była warta wyprawki". 

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

[misiomor]

Jeszcze jest trochę pola do popisu, patrząc na to, co oferuje rynek bądź robią DIY-owcy.

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

[Lech36]

10 minut temu, misiomor napisał:

Jeszcze jest trochę pola do popisu, patrząc na to, co oferuje rynek bądź robią DIY-owcy.

Myślisz że w paśmie od dołu do ca. 80-150 Hz można się we wzmacniaczu czymś popisać? No nie wiem, może? 😉 

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

[misiomor]

Można - prostotą budowy, bezproblemowością przy zachowaniu osiągów, optymalizacją zasilania pod konkretny system. Do tego CMRR-em całości, a nade wszystko - prawidłowym zgraniem suba z kolumnami ew. dołu ze środkiem w kolumnie aktywnej / półaktywnej. Jak widzę jak to ludzie robią, to mnie żałość bierze. Więc tak - jest sporo do poprawienia.

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

[Lech36]

15 godzin temu, misiomor napisał:

prostotą budowy, bezproblemowością przy zachowaniu osiągów, optymalizacją zasilania pod konkretny system.

Jak  najbardziej popieram też zawsze dążyłem do maksymalnej, ale przy zachowaniu wysokich parametrów prostoty, może trochę odpuściłem parę lat temu przy uaktywnianiu mojego drugiego systemu, ale to też było w ramach eksperymentu mającego wykazać czy układy bardziej złożone wykazują jakieś cechy negatywne w domenie słuchu ludzkiego. Jakąś inspiracją były słynne końcówki Krell FPB300/600c. Końcówki "obrzydliwie" skomplikowane.

P.S. Prostota struktury wewnętrznej to tak jak struktura TDA7293, warto się na niej oprzeć, ale oczywiście w wersji dyskretnej podrasowanej.

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

[misiomor]

Ja nie wiem do końca jak są zbudowane TDA7293. Raczej na pewno mają w stopniu końcowym mosfety typu N - bo bootstrap jest tylko od dodatniej strony. No i inne rozwiązanie wymagałoby montażu hybrydowego z oddzielnie robionych struktur półprzewodnikowych.

Widziałem ciekawe rozwiązanie wzmacniacza na mosfetach N-kanałowych - para różnicowa NPN na wejściu, sterująca (oboma kolektorami) odwrotną parą różnicową (PNP) ze źródłem prądowym na górze. I jeden kolektor pary róznicowej PNP steruje bramkę jednego tr. końcowego siedzącego na ujemnym zasilaniu, a drugi - bramkę górnego tranzystora, przy czym opornik między bramką a źródłem (+ Rs) jest oparty o wyjście wzmacniacza, podobnie jak opornik źródłowy. Przy czym źródło prądowe drugiej pary różnicowej powinno termicznie kompensować tr. końcowe. Ma to jednak swoje wady - stopień końcowy w układzie wspólnego źródła chociażby. Ale tylko jedno Boost Voltage jest potrzebne, od dodatniej strony. No i rezystory pierwszej (wejściowej) pary muszą być duże, żeby ich napięcie spoczynkowe wystarczyło na źródło prądowe drugiego stopnia. Co zresztą zwiększa wzmocnienie otwartopętlowe.

Ten wzmacniacz był reklamowany jako pełnopasmowy, więc może do suba by się nadał. Pytanie tylko o możliwe do osiągnięcia R_out, skoro startujemy od słabej pod tym względem konfiguracji wspólnego źródła.

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą ) Edytowane 28 Lipca 2021 przez misiomor

[Lech36]

10 minut temu, misiomor napisał:

Ja nie wiem do końca jak są zbudowane TDA7293.

Schemat wewnętrzny jest na karcie katalogowej bliźniaczego TDA7294.

14 minut temu, misiomor napisał:

Ma to jednak swoje wady - stopień końcowy w układzie wspólnego źródła chociażby. Ale tylko jedno Boost Voltage jest potrzebne, od dodatniej strony. No i rezystory pierwszej (wejściowej) pary muszą być duże, żeby ich napięcie spoczynkowe wystarczyło na źródło prądowe drugiego stopnia. Co zresztą zwiększa wzmocnienie otwartopętlowe.

Zgadza się, w założeniach miałem sprzężenie globalne o głębokości poniżej 20 dB, ale zamiast planowanych japońskich mosfetów 2SK213/2SJ76 w stopniu sterującym (trudna dostępność i abstrakcyjna cena w tamtym czasie) musiałem użyć mosfetów IRF a to spowodowało że wzmocnienie w otwartej pętli wzrosło z różnych powodów i na koniec to globalne wyszło na poziomie -30 dB. Nie chciało mi się już kombinować i tak zostawiłem. Później te planowane na początku tranzystory japońskie stały się tańsze i łatwiej dostępne, ale nie chciało mi się już nic zmieniać bo układ chodził bez zastrzeżeń również z IRF-ami. 

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

[misiomor]

TDA7294 - obawiam się, że powtórzenie tego dyskretnie mogłoby być niełatwe. Scalaki mają swoje mocne punkty - np. to, że wszystkie półprzewodniki są na tym samym kawałku krzemu (albo na sąsiadujących), więc łatwiej kompensują się temperaturowo. Chociaż system ładowania bootstrap'u nie powiem, ciekawy.

A skoro są dostępne mocne tranzystory P-kanałowe, to po co brnąć w egzotyczne topologie...

Odnośnie tego płytkiego globalnego sprzężenia zwrotnego - to było kiedyś modne, bo wszyscy bali się zniekształceń TIM, przesterowania wejściowej pary różnicowej itd. We wzmacniaczu do subwoofera, mającym pracować do 500Hz w najgorszym razie *, to nie jest takie istotne, za to głębokie sprzężenie ma swoje zalety, głównie po stronie walki ze zniekształceniami przejścia przez zero.

* Abstrakcyjna sytuacja aktywnego napędzania czegoś z wysokoefektywnym średniotonowcem o niskim wychyleniu a'la Audax HM210Z10 ew PR170Z0. B&W 801 i 802 też mogą być tu przykładem.

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

[Lech36]

54 minuty temu, misiomor napisał:

A skoro są dostępne mocne tranzystory P-kanałowe, to po co brnąć w egzotyczne topologie...

Zgadza się, dlatego poszedłem w dyskretne rozwiązanie z wykorzystaniem obu kanałów, ale z prostotą charakterystyczną dla tego TDA, choć wtedy jak to robiłem nie znałem jeszcze tej struktury, natomiast znałem podobnie prostą strukturę wzmacniacza mocy f-my Acoustat, choć ta, jak pisałem wcześniej, nie za bardzo pasowała do systemu aktywnego. Trzeba było nieco pokombinować, ale nie za dużo.    

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

[misiomor]

Przyjrzałem się schematowi tego N-kanałowego wzmacniacza z parami różnicowymi w obu stopniach, i wychodzi że jednak oporniki kolektorowe wejściowej pary nie mogą być za duże, żeby nie spolaryzować złącza emiter - baza wyłączanego trana drugiej pary za bardzo w kierunku zaporowym. Więc wzmocnienie leci na pysk i ilość dostępnego sprzężenia się zmniejsza. No i źródło prądowe musi być 2 razy "zawijane" - najpierw BF245A do referencji (kompensującej termicznie trany końcowe), potem na niej zwykłe źródło z opornikiem emiterowym i dalej lustro prądowe dla pary różnicowej, żeby mieć mozliwość podciągnięcia jej emiterów blisko +Vboost.

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą ) Edytowane 28 Lipca 2021 przez misiomor

[Lech36]

45 minut temu, misiomor napisał:

To już dla mnie za odważne 😉.

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

[misiomor]

A niby dlaczego? Jedynym niekonwencjonalnym elementem jest postawienie rezystora kolektorowego jednego trana drugiej pary różnicowej na wyjściu wzmacniacza. No i gdyby chcieć puścić więcej prądu przez tę parę, kto wie czy nie należałoby kaskodować (masą, nie potrzeba żadnych referencji) tranzystor (po lewej na schemacie) obsługujący dolnego mosfeta, żeby ulżyć mu mocowo. Oczywiście oba tranzystory drugiej pary należałoby millerować żeby dostać biegun dominujący. No i trzeba by dobierać te kompensacje oddzielnie, pewnie większą dla lewego tranzystora.

Żródło prądowe drugiej pary wygląda na skomplikowane, ale tylko dlatego, że musi zapewnić kompensację temperaturową prądu spoczynkowego.

Generalnie układ jest słabszy niż typowy na wtórniku komplementarnym, pytanie czy lepsze parametry dostępnych mosfetów N-kanałowych zrównoważą te wady. Na razie myślę że raczej nie, ale rozważyć i przeanalizować można.

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

[raven1985]

5 godzin temu, misiomor napisał:

np. to, że wszystkie półprzewodniki są na tym samym kawałku krzemu (albo na sąsiadujących), więc łatwiej kompensują się temperaturowo.

Tak ale też stopień napięciowy jest na jednym kawałku krzemu z tranzystorami mocy których temperatura fruwa w takt sygnału. Skutek to zniekształcenia, ich obecność zdradza wzrost THD dla niskich f. W tym TDA nie jest to, aż tak widoczne.

W tym TDA fajne to jest włączenie stopnia mocy w pętle Millera co skutecznie zwiększa dostępne NFB na górnym krańcu pasma audio i pomaga walczyć ze zniekształceniami skośnymi.

2 godziny temu, misiomor napisał:

Przyjrzałem się schematowi tego N-kanałowego wzmacniacza z parami różnicowymi w obu stopniach

To podręcznikowy układ wzmacniacza na N-MOSFET ( jest w podręcznikach akademickich do elektroniki  🙂 )

Praktyczna realizacja Irka czyli tani wół roboczy idealny  do suba:

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

[misiomor]

W podręcznikach z moich czasów nie było. Zastrzeżenia do tej konstrukcji z AVT wyraziłem powyżej - są pewne obawy (pewnie tylko teoretyczne) o złącza emiterowe drugiej pary różnicowej, a także millerowanie trana pod kaskodą można było zrobić inaczej.

W każdym razie gdybym sam robił coś takiego, to na pewno zrobiłbym kompensację temperaturową jak na moim rysunku. Referencja napięciowa w dół, mnożnik Vbe w dół (do w miarę pewnych wartości teoretycznych). Podwyższamy mnożnik aż prąd spoczynkowy osiągnie zadaną wartość. Suszarka na radiator i pomiar prądu jak radiator osiągnie np. 80deg. Jeżeli spada zbyt silnie, to zmniejszamy nieco mnożnik Vbe, ustawiamy prąd przy pomocy referencji napięciowej i tak aż do ustawienia pożądanej kompensacji - żeby pod wysoką temperaturą bias tracił nie więcej niż np. 20%. Bo ja chcę to kręcić na znacznie wyższą moc.

No ale wcale nie wiem czy toto będzie lepsze od układu na LT1166 i parze komplementarnej.

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą ) Edytowane 29 Lipca 2021 przez misiomor

[Lech36]

14 godzin temu, raven1985 napisał:

To podręcznikowy układ wzmacniacza na N-MOSFET ( jest w podręcznikach akademickich do elektroniki  🙂 )

Praktyczna realizacja Irka czyli tani wół roboczy idealny  do suba:

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

Podobną strukturę (może nawet identyczną) zamieściła kiedyś (bardzo dawno temu) w swoich materiałach pokazujących możliwości zastosowania ich nowego wyrobu czyli tranzystorów V-mos dużej mocy firma Siliconixs. Wzmacniacz "dużej" mocy miał coś 40W i na wyjściu pracowały po trzy równolegle łączone tranzystory z serii 2N...  Mam gdzieś w archiwum te materiały. Świat jednak szybko poszedł do przodu i Japończycy z Hitachi zaczęli wytwarzać mocniejsze tranzystory i to do tego z jednym i drugim kanałem. Jeden kanał ma tą zaletę że parametry dla układu quasi komplementarnego dają się dosyć dokładnie parować, z kanałami p i n już nie jest tak łatwo. Wykorzystuje się tę cechę w końcówkach klasy D.

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą ) Edytowane 29 Lipca 2021 przez Lech36

[misiomor]

Tylko że zniekształcenia od niesparowania P vs N są o wiele łagodniejsze niż przejście przez zero w mosfetach, choćby idealnie sparowanych. Taki spory mosfet dla prądu spoczynkowego 200mA to dobrze jak 0.5S będzie miał. A jak mu prąd wzrośnie do 5A, gfs robi się np. 12S. Więc na obciążeniu 1.5ohm z rezystorem źródłowym 0.1ohm wtórnik będzie miał wzmocnienie 0.42, podczas gdy przy 5A już 0.9. Jedno co trochę ratuje całą imprezę to fakt pracy trana komplementarnego na to samo obciążenie w okolicach zera, więc z punktu widzenia jednego trana w samym zerze z 1.5ohm zrobi się 3ohm. To jednak nadal daje wzmocnienie wtórnika na poziomie niecałych 0.6

Za to tranzystor bipolarny ma transkonduktancję własną ok. 7 - 8S już przy tych 200mA biasu, więc problem jest mniejszy, zwłaszcza że rezystor emiterowy linearyzuje. Tylko prądu bazy potrzeba dużo i stąd wielostopniowe wtórniki.

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

[slawek.xm]

3 minuty temu, misiomor napisał:

Taki spory mosfet dla prądu spoczynkowego 200mA to dobrze jak 0.5S będzie miał. A jak mu prąd wzrośnie do 5A, gfs robi się np. 12S. Więc na obciążeniu 1.5ohm z rezystorem źródłowym 0.1ohm wtórnik będzie miał wzmocnienie 0.42, podczas gdy przy 5A już 0.9.

Możesz wytłumaczyć dlaczego uważasz to za złą sytuację?

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

[misiomor]

Bo będzie zmniejszenie wzmocnienia układu w czasie przejścia przez zero. Globalna pętla NFB oczywiście silniej wysteruje VAS'a, ale ten będzie musiał niemalże skokowo przeładować bramki tranzystorów końcowych. Więc będą zniekształcenia.

To widać w notach aplikacyjnych LM4702 czy LME49830 (jak ktoś zachomikował z czasów kiedy te kości były dostępne). Przebieg sygnału zniekształceń - a więc wyjściowy z wyfiltrowaną składową podstawową ew. odjętym wejściowym przemnożonym przez wzmocnienie. Widać "dzioby" w czasie przechodzenia przez zero.

A ponieważ w relatywnie prostym układowo rozwiązaniu dyskretnym trudno będzie dostać tyle sprzężenia co w tych wycofanych z produkcji scalakach, trzeba zadbać o liniowość otwartopętlową. A na to jedynym sposobem jest podwyższanie prądu spoczynkowego. Vide AN-1850 kości LME49830 - NFB trzyma zniekształcenia w ryzach dla niskich częstotliwości, ale przy niskich prądach spoczynkowych w pewnym momencie (dla wyższych f) kompensacja nie pozwala na wystarczające sprzężenie i mamy wzrost zniekształceń z częstotliwością. Tym mniejszy im wyższy prąd spoczynkowy.

Dlatego zastanawiam się nad 0.1ohm 5W bezindukcyjnymi rezystorami w źródła. Po dwa równolegle, moc będzie z zapasem, pod LT1166 bias będzie 400mA, więc są pewne szanse na osiągi, kosztem ok. 50W rozpraszanych w spoczynku przez mostek, taki w wersji ograniczonej do 350W.

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

[slawek.xm]

6 minut temu, misiomor napisał:

Bo będzie zmniejszenie wzmocnienia układu w czasie przejścia przez zero. Globalna pętla NFB oczywiście silniej wysteruje VAS'a, ale ten będzie musiał niemalże skokowo przeładować bramki tranzystorów końcowych. Więc będą zniekształcenia.

To widać w notach aplikacyjnych LM4702 czy LME49830 (jak ktoś zachomikował z czasów kiedy te kości były dostępne). Przebieg sygnału zniekształceń - a więc wyjściowy z wyfiltrowaną składową podstawową ew. odjętym wejściowym przemnożonym przez wzmocnienie. Widać "dzioby" w czasie przechodzenia przez zero.

A ponieważ w relatywnie prostym układowo rozwiązaniu dyskretnym trudno będzie dostać tyle sprzężenia co w tych wycofanych z produkcji scalakach, trzeba zadbać o liniowość otwartopętlową. A na to jedynym sposobem jest podwyższanie prądu spoczynkowego. Vide AN-1850 kości LME49830 - NFB trzyma zniekształcenia w ryzach dla niskich częstotliwości, ale przy niskich prądach spoczynkowych w pewnym momencie (dla wyższych f) kompensacja nie pozwala na wystarczające sprzężenie i mamy wzrost zniekształceń z częstotliwością. Tym mniejszy im wyższy prąd spoczynkowy.

Dlatego zastanawiam się nad 0.1ohm 5W bezindukcyjnymi rezystorami w źródła. Po dwa równolegle, moc będzie z zapasem, pod LT1166 bias będzie 400mA, więc są pewne szanse na osiągi, kosztem ok. 50W rozpraszanych w spoczynku przez mostek, taki w wersji ograniczonej do 350W.

Czy zatem dla prostego wyjściowego wtórnika na parze komplementarnej zwiekszanie biasu powyżej 1A da wymierne korzyści dla wzmacniacza napędzającego bas? oczywiście abstrahując od wielkości radiatorów

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

[misiomor]

Zakładając 1A prądu spoczynkowego dla IXTH48P20P, transkonduktancja będzie może ok. 2.5S - ona jest praktycznie liniowa wraz z prądem (dla relatywnie niskich prądów mosfeta), podobnie zresztą jak dla bipolarnych, tylko że jest jej znacznie mniej dla danego prądu.

2.5S w połączeniu z 0.1ohm Rs dałoby wzmocnienie 0.75 przy pracy na 1.5ohm, a na 3ohm (komplementarny też dorzuca) mamy prawie 0.86. Niewiele mniej niż dla 5A prądu wyjściowego, gdzie opornik źródłowy zaczyna już dominować nad gfs.

Dlatego podwyższając prąd spoczynkowy od pewnego momentu mamy "diminishing returns".

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

[misiomor]

No i teraz pytanie. Mosfety, z pojemnościami bramkowymi na poziomie 5nF (może 2nF po bootstrapowaniu). Różnica prądów sterujących 20mA max (na oba, więc koło 10mA na jeden). I pojawia się problem z opornikami przeciw-oscylacyjnymi. Gdyby dać dla bezpieczeństwa 1kohm, musiałoby chwilowo być 10V spadku na nim (ponad normalne Vgs), a LT1166 tyle nie wytrzyma.

Więc - ograniczać się do bardzo niskich SR czy chociaż przewidzieć miejsce na koraliki ferrytowe? One mogłyby pozwolić na redukcję oporników bramkowych do może nawet 50 - 100ohm.

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą ) Edytowane 29 Lipca 2021 przez misiomor

[slawek.xm]

Przy wzmacniaczu na 6 parach irfp240/irfp9240 przy napięciu zasilającym +-42V i biasie 0,8A na tran rezystory żrodłowe 0,3om  rezystor bramki do każdego mosfeta mam 90 om bez żadnych koralików , wzmacniacz stabilny do spadku impedancji ok 1 om

wzmacniacz niezbalansowany

ale nie mierzyłem maksymalnej mocy na sztucznym obciażeniu

 

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

[raven1985]

11 godzin temu, Lech36 napisał:

Wykorzystuje się tę cechę w końcówkach klasy D.

 kanał p zawsze będzie miał większy Rdson a co za tym i większe straty i mniejsza sprawność. Dlatego w klasie d stosuje się n.

55 minut temu, misiomor napisał:

Mosfety, z pojemnościami bramkowymi na poziomie 5nF

z 1kom to tego nie widzę... pasmo 30-40khz. Nie ma potrzeby stosowania tak wysokich wartości. Raczej powinno się max. pasmo stopnia mocy a nie go ucinać bo to limituje ilość NFB jakie można koło niego okręcić. Tym bardziej, że oprócz mniejszej zależności prądu MOSFET-ów od temperatury w porównaniu do BJT ich główną zaletą jest szybkość. Problemy z lokalnymi oscylacjami to zwykle kiepski projekt płytki. Wartości rzędu 47-100om wystarczą. Można dodatkowo dobić dobroć Colpittsa próbującego się na mosfecie zrobić szeregowym połączeniem RC między bramką a masą . W takiej kobyle jak te ix-y to i pewnie 10-22om starczy.

 

8 godzin temu, misiomor napisał:

Dlatego zastanawiam się nad 0.1ohm 5W bezindukcyjnymi

standardowe metalizowane rezystory 5w są wystarczająco bezindukcyjne.

Ukryta Zawartość

Zaloguj się, aby zobaczyć treść.

Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )