Skocz do zawartości
IGNORED

Jak się obchodzić z Mosfetami


georg

Rekomendowane odpowiedzi

Witajcie

Chciałbym troszkę informacji na zadane pytanie w temacie .

Czytałem i słyszałem że mosfety są bardzo wrażliwe na prądy statyczne i najlepiejjeaplikować do układu na samym końcu z Bipolarami nie ma takiego problemu , a co gdy chcemy zrobić układ na pająku

np. Alep P 1.0 jak to zrobił Bartek 1 trzeba rozgiąć nóżki i przymieżyć pozostałe elementy jak sięzabezpieczyć przed niepotrzebnymi kłopotami jakieśwasze triki i sposoby proszę o podpowiedzi

pozdrawiam

to że są bardzo wrażliwe elektrostatycznie to informacja z czasów gdy tranzystory polowe:)

teraz już nie ma się co bać - nie jest tak źle i można normalnie wziąść tranzystor do rąk i nic mu nie będzie

Witam

Tranzystory typu MOSFET należą do najbardziej narazonych elementów na działanie ładunku elektrostatycznego.

Midzy bramką a kanałem jest izolacja z tlenku metalu ulega ona przebiciu w napięci powyżej 30V w okolicy źródła, wiekszośc tranzystorów mosfet ma podane to napiecie na poziomie +/- 15V. Efekt tego jest taki że tranzystor pozornie pracuje i w niektóych układach dopiero po czasie widać efekt uszkodzenia. Najparwdopodobniej to uszkodzenie tranzystórów jest powodem wiekszości problemów z uruchamianiem Aleph-ow tu na forum.

>skow29

Nie zgadzam się z tobą całkowicie. A to co napisałeś to dotyczy sie raczej układów scalonych wykonanych w technologi CMOS które są naprawdę wszechstronnie zabezpieczone. Można też dostać tranzystory MOSFET które sa dobrze zabezpieczone, ale one kiepsko nadają się do zastosowań liniowych czyli nas interesujących.

Pozdrawaiam Romek

Hmm, jeden z kolegów z tego forum przeslal mi parowane tranzystory do Alepha zawinięte w foliową koszulkę A4. To chyba malo profesjonalne podejście do sprawy, biorąc pod uwagę fakt, że nie sa one jednak odporne na wszystko.

A co w tych koszulkach miałoby im się stać ? Nie popadajmy w paranoję. Samo wysokie napięcie elektrostatyczne (ładunek) nie jest tak niebezpieczne, jak sposób jego rozładowania. Nie może być zbyt gwałtowny. Chcesz zachować ostrożność, stosuj opaskę elektrostatyczną na rękę. Kto z was to robi, zanim padnie tranzystor ?

Witam

Jeśli chodzi o pojedyncze tranzystory mocy to podstawowe zasady powinny wystarczyć. Niedawno miałem w firmie szkolenie w sprawie ochrony ESD i oczy mi się otworzyły dośc szeroko. W każdej szanującej się firmie elektronicznej stosującej układy scalone szczególnie procesory taka ochrona musi być stosowana. Widziałem na miernikach jak wysoki ładunek może się zebrać na takiej właśnie koszulce. Np. samo chodzenie po wykładzinie dywanowej również powoduje powstanie sporych ładunków. Sam kiedyś "załatwiłem" jedno z firmowych urządzeń wyładowaniem po dotknięciu do przewodów zasilających.

Tak więc w firmach produkcyjnych, serwisach ochrona jest niezbędna. W domu to już jak kto chce.

Andrzej

dzięki za wpisy

 

ale nie wniosły nic wiedzy zarówno praktycznej jak i teoretycznej

 

słydszałem o jakiś zworach na nóżki do chwili wlutowania czy coś takiego używacie jeśli tak to jak to wygląda lub gdzie kupić

a może jak zrobić

Ja w domu lutuję uziemnioną lutownicą i w przypadku układów scalonych zakładam opaskę. Narazie nic nie zepsułem. Poza tym w domach często bywa większa wilgotność powietrza niż w firmach, a ma to spory wpływ na gromadzenie się ładunków.

Andrzej

wątpię żeby w domu ktoś bawił się w ochronę przeciw esd

jeśli kolega uważa, że wpisy nie wniosły nic wiedzy teoretycznej to chyba nie czytał tych wpisów co do najprostszej ochrony wystarczy aluminiowa folia spozywcza - przebijasz nóżkami tranzystora kawałek folii i wtedy wszystki nóżki mają ten sam potencjał więc nie ma żadnego zagrożenia ze strony esd - po wlutowaniu folię aluminiową wydzierasz spośród nóżek - jest aluminiowa wiec sie nie przylutuje również.

Ja podczas bawienia się mosfetami kładę na stół kawałek blachy która jest połączona kawałkiem przewodu z rurą od kaloryfera.

Przy lutowaniu, zwłaszcza w pająku, warto połączyć nóżki tranzystora spinaczem do papieru, albo kawałkiem drutu, na przykład nóżką od rezystora.

Ukryta Zawartość

    Zaloguj się, aby zobaczyć treść.
Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

Ukryta Zawartość

    Zaloguj się, aby zobaczyć treść.
Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )
  • 2 lata później...

Czy takie połączenie tranzystorów jak na rysunku to dobra metoda na sprawdzenie tranów czy są dobre: Czy nie mają przebicia między drenem a źródłem ? Bramki "wiszą luzem".

Ukryta Zawartość

    Zaloguj się, aby zobaczyć treść.
Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

Ukryta Zawartość

    Zaloguj się, aby zobaczyć treść.
Zaloguj się, aby zobaczyć treść (możliwe logowanie za pomocą )

Nie.

Bramka jest izolowana od kanału (łączącego źródło z drenem).

Praktycznie to izolacja doskonała (niektóre konstrukcje mogą mieć zabezpieczenia bramki (rzadko) zmniejszające rezystancję). Jakikolwiek ładunek elektrostatyczny spolaryzuje jakoś tam tranzystor. Możliwa jest bliżej nieokreślona przewodność kanału.

Polecam zewrzeć bramkę ze źródłem. Wówczas tranzystory nie mogą przewodzić. Spolaryzowanie bramki napięciem dodatnim (2sk1529) w stosunku do źródła (ok. 1.5V może być kapkę za małe, lepiej 3V) powinno otworzyć tranzystor. Dla p-kalnałowego odwrotne polaryzacje.

Z tego co wiem to tranzystory mocy MOSFET są dosyć odporne na ładunki elektrostatyczne z powodu dużej pojemności między łączami. Ja jeszcze nie słyszałem o tym żeby komuś w ten sposób udało się popsuć tranzystor mocy MOSFET.

Jeżeli już chcesz mieć pewność że nic się nie stanie to przed lutowaniem dotknij kaloryfera albo kranu.

Inaczej jest z tranzystorami małej mocy. Tam wskazana jest duża ostrożność.

Przepraszam, że pytam, ale w sumie pytanie w temacie.

 

1. Czy dzisiaj produkowane są jeszcze tranzystory V-FET?

2. Kto jako pierwszy wprowadził je na rynek?

3. Co było powodem wycofania ich z konstrukcji (domyślam się, że często padały, ale dlaczego)?

4. Jakie plusy miały konstrukcje oparte o te tranzystory, prócz pięknej analogowej barwy?

5. Czy były one bardziej narażone na ładunki elektrostatyczne?

 

Dziękuję i pozdrawiam!

TA-E80ES | TA-N55ES MKIII | SS-G3 | CDP-X77ES | TC-K730ES | TC-K990ES | TC-765 | DTC-60ES | PCM-501ES | ST-S770ES | DENON DP-47F + AT AT33EV MC | JVC BR-7000ERA | PIONEER CT-9R

Od dawien dawna zajmuje sie elektronika a montuje bardzo duzo koncowek mocy na mosfetach i jeszcze nigdy nie udalo mi sie zadnego uszkodzic elektrostatycznie. Kazdy jest mierzony pod wzgledem Ugs a leza w firmowych ''laskach''. Lutuje i mierze je bez zadnych zabezpieczen.

 

Co do V-mosfetow to technologii wykonania mosfetow jest duzo i obecnie nie wszystkie firmy pisza w jakiej technologii wykonany jest tranzystor wiec skupianie sie tylko na V-mosfetach nie ma zadnego sensu.

Zarchiwizowany

Ten temat przebywa obecnie w archiwum. Dodawanie nowych odpowiedzi zostało zablokowane.



  • Ostatnio przeglądający   0 użytkowników

    • Brak zarejestrowanych użytkowników przeglądających tę stronę.
  • Biuletyn

    Chcesz być na bieżąco ze wszystkimi naszymi najnowszymi wiadomościami i informacjami?
    Zapisz się
  • KONTO PREMIUM


  • Ostatnio dodane opinie o sprzęcie

    Ostatnio dodane opinie o albumach

  • Najnowsze wpisy na blogu

×
×
  • Dodaj nową pozycję...

                  wykrzyknik.png

Wykryto oprogramowanie blokujące typu AdBlock!
 

Nasza strona utrzymuje się dzięki wyświetlanym reklamom.
Reklamy są związane tematycznie ze stroną i nie są uciążliwe. 

 

Nie przeszkadzają podczas czytania oraz nie wymagają dodatkowych akcji aby je zamykać.

 

Prosimy wyłącz rozszerzenie AdBlock lub oprogramowanie blokujące, podczas przeglądania strony.

Zarejestrowani użytkownicy + mogą wyłączyć ten komunikat oraz na ukrycie połowy reklam wyświetlanych na forum.